可控硅主要技术参数:
1、额定通态电流也就是*大稳定工作电流,俗称电流,常用可控硅的额定通态电流一般为一安到几十安。
2、反向重复峰值电压(VRRM)或者断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压,常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3、控制极触发电流(IGT),俗称触发电流,常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4、额定正向平均电流。也就是在规定温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值。
可控硅模块有其自身的优点,但是在使用的过程中也会出现一些问题,比如晶闸管(可控硅)电路引起干扰的抑制,那么如何来解决这些问题呢?
我们可以从减少谐波和提高输入功率因数的措施着手,去解决上述出现的问题了:限制接入电网的晶闸管变流装置的容量,来保护其他设备的正常运行;尽可能采用脉波数高的变流装置;对于移相式变流装置,触发延迟角α不能用得太大;通过改变串并联电路来预制电路的干扰。
可控硅模块(晶闸管)的耐压问题
对于可控硅模块也许我们不是很了解,但是这并不代表我们在平时的生活中的运用就不广泛,下面我们就来介绍下可控硅模块的相关问题。
对于可控硅模块的安装有一定的要求,在高压电机软启动中使用的晶闸管也因单只晶闸管耐压不够要串联运行,当晶闸管的额定电压小于实际要求时,可以用两个以上同型号器件相串联。但是并不是串联所承受的电压就是相等的,会存在电压分配不均的问题,在进行使用和安装的时候要特别注意这个因素。
可控硅模块在低温下运行的注意事项
可控硅模块的使用和周围的环境有一定的关系和影响。如果是在低温环境的情况下就须要注意一些事项才能保证其正常工作。
在-40℃条件下,要保证可控硅模块的正常运行,就须要有足够强度的晶闸管门极触发电流来保证设备的启动。
还应该依据现场环境温度考虑器件和散热器的选择。
如果设备频繁的启动、停止,应注意器件的寿命是否降低了。
埋了 钻